氮化镓低维材料  

Preparation and Physical Properties of Low Dimensional GaN Materials

作　　者：陈小龙[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心,北京100080

出　　处：《人工晶体学报》2002年第3期277-282,共6页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金 ( 5 992 5 2 0 6 ;10 0 440 0 1;5 9972 0 2 40 );中国科学院基金(KY95 1 AI 2 0 5 0 5;KY95 2 J1 4 11)资助项目

摘　　要：本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展 ,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性。This paper reviews the recent progress in the study of the fabrication and structural characteristics of low-dimensional GaN materials in our lab.,which include the nanowires,nanoribbons,quantum dots,radial growth dynamics and surface morphological stability.

关 键 词：氮化镓 低维材料 生长动力学 形貌稳定性 半导体材料 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]