并五苯晶体薄膜的生长  

Physical Vapor Growth of Pentacene Crystal Thin Films

作　　者：张素梅[1] 石家纬[1] 刘建军[1] 刘明大[1] 郭树旭[1] 王伟[1] 赵玲[1] 李靖[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,长春130023

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》2002年第3期288-289,共2页Journal of Jilin University:Science Edition

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 0 176 0 2 2 )

摘　　要：用物理气相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜 .用 1 0～ 3 0 mg的源生长出 2 0～ 3 0 mm2 大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜 .利用 TEM,SEM和Physical vapor deposition in horizontal systems has been used for the growth of crystal thin-film of organic semiconductor pentacene. By using 10~30 mg starting material, 20~30 mm 2 sized crystals thin-film, suitable for the characterization measurements of the device fabricated, has been grown. And we have analyzed the thin-film of pentacene crystal by using TEM, X-ray diffraction and scanning electron microscopy.

关 键 词：并五苯晶体薄膜 物理气相沉积法 有机半导体薄膜 薄膜生长 水平生长系统 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]