Improved Epitaxy of 3C-SiC Layers on Si(100) by New CVD/LPCVD System  

Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长(英文)

作　　者：孙国胜[1] 王雷[1] 罗木昌[1] 赵万顺[1] 孙殿照[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 林兰英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第8期800-804,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家基础研究专项基金 ( No.G2 0 0 0 0 6 83);国家高技术研究与发展基金 ( No.2 0 0 1AA3110 90 )资助项目~~

摘　　要：Single crystalline 3C-SiC epitaxial layers are grown on φ 50mm Si wafers by a new resistively heated CVD/LPCVD system,using SiH_4,C_2H_4 and H_2 as gas precursors.X-ray diffraction and Raman scattering measurements are used to investigate the crystallinity of the grown films.Electrical properties of the epitaxial 3C-SiC layers with thickness of 1～3μm are measured by Van der Pauw method.The improved Hall mobility reaches the highest value of 470cm 2/(V·s) at the carrier concentration of 7.7×10 17 cm -3 .介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0 m m的 Si(10 0 )衬底上获得了高质量的 3C- Si C外延材料 .用 X射线衍射和 Ram an散射技术研究了 3C- Si C外延膜的结晶质量 ,在 80～ 30 0 K的温度范围内利用 Van der Pauw方法对 1～ 3μm厚的外延膜的电学特性进行了测试 ,室温 Hall迁移率最高达到 470 cm2 / (V· s) ,载流子浓度为 7.7× 10 1 7cm- 3 .

关 键 词：CVD/LPCVD HETEROEPITAXY 3C-SIC 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]