专利集锦  

出　　处：《磁性材料及器件》2014年第4期78-80,共3页Journal of Magnetic Materials and Devices

摘　　要：本发明提出了一种具有磁畴壁可调控的锰氧化物薄膜的器件，包括锰氧化物核心单元和磁畴壁调控单元；锰氧化物核心单元包括三层结构，分别是从上到下依次设置的导电锰氧化物薄膜，绝缘衬底，金属导电底座；磁畴壁调控单元为磁性导电针尖，该磁性导电针尖的磁化方向垂直于上述锰氧化物薄膜表面，并且该针尖与上述锰氧化物膜的顶膜面紧密接触，并可沿该顶膜面移动；另外本发明还提出了一种锰氧化物薄膜的磁畴壁调控方法，该方法基于针尖低电压的交流电场效应来移动磁畴壁的位置；基于上述器件和方法，本发明提出磁存储器及该磁存储器的写入方法。由于采用的电压幅度较小，没有热效应，因而降低了功耗。

关 键 词：锰氧化物薄膜 调控方法 专利 磁存储器 磁畴壁 三层结构 绝缘衬底 薄膜表面 

分 类 号：TN44[电子电信—微电子学与固体电子学]