绝缘衬底

作品数：47被引量：63H指数：4
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采用菱形辐条的高对称MEMS蜘蛛网状盘式谐振陀螺仪
《微纳电子技术》2024年第11期91-97,共7页许杨 王琮琛 杨军营 陈建霖 王诗男 
微电子机械系统(MEMS)陀螺仪因抵抗制造误差能力差和品质因数低等问题限制了其在高端领域的应用。通过对MEMS陀螺仪的理论分析和有限元仿真,基于绝缘体上硅(SOI)工艺设计并制备出了一种由多个同心嵌套的蜘蛛网环和菱形辐条组成的新型MEM...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 陀螺仪 绝缘衬底上硅(SOI) 蜘蛛网环 菱形辐条 
绝缘衬底上二维单晶材料制备研究进展被引量：1
《科学通报》2024年第26期3887-3899,共13页曾凡凯 白金霞 张晓闻 徐小志 
国家自然科学基金(12322406,52102043,61905215)资助。
二维材料因其原子级的厚度而展现出优异的电学、光学、磁学和热学性质,在电子、光电和能源等领域具有广阔的应用前景.随着传统硅基器件逼近物理极限,摩尔定律的延续面临着巨大挑战,二维材料被寄望于超越硅基材料以实现新一代电子器件的...
关键词：二维材料 单晶 绝缘衬底 石墨烯 化学气相沉积 
SDB-SOI制备过程中工艺控制
《电子工业专用设备》2024年第3期20-23,共4页刘洋 
SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加...
关键词：硅晶圆 绝缘衬底上硅(SOI) 键合 磨削 
绝缘衬底的电流体喷印高分辨率微米电极研究
《机电工程技术》2023年第2期16-19,共4页佀萌 刘畅 张洁 戴恒震 
国家自然科学基金面上项目(编号:51975104,62074138);国防基础研究项目。
基于电流体动力学喷射理论,建立了集控制、运动和成像于一体的电流体喷印设备。由函数发生器和高压放大器为打印提供正负交变电场,以银导电墨水为打印材料,通过空气压缩机、调压阀和喷头将打印材料喷出,并采用交流供电的策略,进行了绝...
关键词：绝缘衬底 电流体喷印 银电极 交流电压 
气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯生长:现状与展望
《物理化学学报》2023年第1期29-40,共12页刘若娟 刘冰之 孙靖宇 刘忠范 
国家重点研发计划项目(2019YFA0708201);国家自然科学基金(61527814,51702225);北京分子科学国家研究中心(BNLMS-CXTD-202001);北京市科学技术委员会(Z191100000819004)资助。
借助化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)技术在绝缘衬底上直接生长的石墨烯薄膜,在能源存储/转换等领域有着广阔的应用前景。然而,绝缘衬底表面石墨烯的生长呈现成核密度高、畴区尺寸小、生长速率低等特点,获得的石墨烯薄膜...
关键词：石墨烯 化学气相沉积 绝缘衬底 气相助剂 
基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器
《固体电子学研究与进展》2022年第2期130-134,共5页单春燕 卢新民 蒋东铭 钱峰 周猛 
基于0.18μm SOI CMOS工艺研制了一款高集成度的天线调谐器芯片,该芯片集成了射频开关、电容阵列和数模混合控制电路,面积仅为1433μm×760μm。芯片核心射频电路由5 bit电容阵列和SP3T射频开关并联组成,其中电容阵列采用了基于射频开...
关键词：绝缘衬底上硅 射频开关 天线调谐器 电容阵列 
金刚石表面石墨烯的制备及应用研究进展被引量：1
《金刚石与磨料磨具工程》2021年第6期1-6,共6页余威 栗正新 
近年来,在绝缘衬底表面生长石墨烯已经成为研究者关注的重点,出现许多新的策略,也在SiO_(2)/Si、蓝宝石、GaN、玻璃等多种绝缘衬底上进行尝试并取得一定进展。金刚石用作生长石墨烯的衬底具有不可代替的优异特性,但目前在金刚石衬底上...
关键词：石墨烯 绝缘衬底 金刚石 
等离子体刻蚀辅助绝缘衬底上生长石墨烯研究
《化工新型材料》2020年第5期100-103,共4页陈鑫耀 田博 彭东青 蔡伟伟 
福建省自然科学基金(2018J01416);福建省中青年教师教育科研项目(JAT170331)。
石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注。但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引入杂质和缺陷,因此,直接在氧化硅上生长高质量的石墨烯成了一项迫切的需求。基于传统的热壁化学气相沉积...
关键词：石墨烯 等离子体刻蚀辅助化学气相沉积 绝缘衬底 
传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第2期149-153,共5页李向前 王蒙军 吴建飞 李尔平 李彬鸿 郝宁 高见头 
国家自然科学基金资助项目(61671200);河北省高等学校高层次人才科学研究项目(GCC2014011);河北省自然科学基金重点资助项目(F2017202283)。
为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在...
关键词：电磁兼容 电磁抗扰度 绝缘衬底上硅 CAN控制器 
一种新型SGOI SiGe异质结双极型晶体管被引量：1
《微电子学》2019年第5期735-740,共6页于明道 王冠宇 苗乃丹 文剑豪 周春宇 王巍 
国家自然科学基金资助项目(61404019,61704147)
为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,...
关键词：绝缘衬底上硅锗 硅锗异质结双极晶体管 电流增益 特征频率 
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