一种1064nm应变双量子阱激光器的设计与制作  

作　　者：陈福川[1] 石英亮 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院

出　　处：《电子世界》2014年第15期157-157,159,共2页Electronics World

摘　　要：为能得窄谱宽、高亮度的1064nm-InGaAs/GaAs应变双量子阱激光器,分析了In组份与临界厚度、应变量的变化关系,并给出了In组份的选择范围。采用Kane模型给出了量子阱中第一分立能级分裂宽度与垒宽的关系,明确了应变双量子阱激光器中垒宽的选择。最后,通过金属有机气相沉积(MOCVD)法生长了1064nm应变双量子阱激光器,实验结果与理论计算的辐射波长值基本吻合。

关 键 词：INGAAS 应变双量子阱 1064nm 半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]