磁共振环境下DBS电极安全性的研究进展  被引量:2

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作  者:杨岸超[1] 石林[2] 张鑫[2] 张建国[1] 

机构地区:[1]首都医科大学附属北京天坛医院神经外科,100050 [2]首都医科大学北京市神经外科研究所,100050

出  处:《中华神经外科杂志》2014年第8期846-848,共3页Chinese Journal of Neurosurgery

基  金:国家自然科学基金(81200997)

摘  要:磁共振成像(MRI)是神经科医生评估颅脑疾病的重要无创检查手段,现MRI设备在我国各大中城市已得到广泛应用.随着MRI扫描技术的发展,部分医院已开始推广使用超高场强磁共振扫描(静态磁场强度>1.5T),规模较大的医院或医学中心已购入7.0T磁共振扫描仪进行医学研究.超高场强MRI相对于高场MRI及普通MRI,在成像分辨率、扫描时间等诸多方面具有优势,很多常规场强MRI难以分辨的病变及核团在超高场强MRI下可以清楚辨认,因此超高场强核磁共振的应用对提高医疗质量有重要意义[1-2].随着脑深部电刺激(deep brain stimulation,DBS)技术在我国广泛应用,植入DBS设备的患者在磁共振环境下的安全性成为了神经影像医生关注的焦点.研究发现在某些条件下MRI检查可引起DBS电极大量产热而造成脑组织热损伤.本文就MRI引起DBS电极产热问题做一综述.

关 键 词:磁共振成像 DBS 安全性 电极 MRI扫描技术 环境 高场强MRI 磁共振扫描仪 

分 类 号:R445.2[医药卫生—影像医学与核医学]

 

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