GaAs量子阱太阳能电池量子效率的研究  

Influence of quantum wells on the quantum efficiency of GaAs solar cells

作　　者：丁美斌[1,2] 娄朝刚[2] 王琦龙[2] 孙强[3] 

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥230009 [2]东南大学电子科学与工程学院,南京210096 [3]中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384

出　　处：《物理学报》2014年第19期409-413,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60976047);国家高科技研究发展计划(863计划)(批准号:2007AA05Z435);江苏省自然科学基金重点研究专项(批准号:BK2011033)资助的课题~~

摘　　要：将量子阱结构引入到单结GaAs太阳能电池中能够有效扩展吸收光谱.为了研究量子阱结构在GaAs太阳能电池中的作用机理,本文采用实验和理论的方法研究了InGaAs/GaAsP量子阱结构对电池量子效率的影响.实验结果表明,量子阱结构的窄带隙阱层材料将电池的吸收光谱从890 nm扩展到1000 nm.同时,量子阱结构的引入提高了680—890 nm波长范围内的量子效率,降低了波长在680 nm以下的量子效率.通过计算得到的量子阱结构和GaAs材料的光吸收系数,可以用来解释量子阱结构对太阳能电池量子效率的影响.Influences of InGaAs/GaAsP quantum wells on the quantum efficiency of GaAs solar cells are investigated. In addion of extending the absorption spectrum from 890 nm to 1000 nm, introduction of quantum wells has important effects on the quantum efficiency below 890 nm. In the range of shorter wavelengths（ 680 nm）, the GaAs control cells have higher quantum efficiencies, while in the longer wavelengths（680–890 nm）, the quantum well solar cells have higher quantum efficiencies. This phenomenon can be explained by the difference in the absorption coefficients of quantum well structure and GaAs materials.

关 键 词：量子阱 太阳能电池 量子效率 吸收系数 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理] TM914.4[理学—物理]