玻璃与铝在不同层数结构下的阳极键合界面应力特征分析  

作　　者：阴旭[1] 刘翠荣[1] 赵为刚[1] 

机构地区：[1]太原科技大学材料科学与工程学院,山西太原030024

出　　处：《焊接技术》2014年第9期21-23,共3页Welding Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51275332);山西省研究生优秀创新项目(20123104)

摘　　要：采用共阳极接法对不同层数的玻璃与铝实现阳极键合,通过XRD分析结果显示,键合界面过渡层主要是3Al2O3·2SiO2,并运用MARC有限元软件对不同层数的键合结构进行模拟,通过对键合后产生的残余应力进行比较分析,结果表明:由于多层结构的对称性,最大残余应力发生在中心处的过渡层,研究结果为MEMS器件在多层封装结构设计中提供理论依据。

关 键 词：阳极键合 键合层数 残余应力 有限元分析 

分 类 号：TG404[金属学及工艺—焊接]