碳化硅紫外探测器件的现状  

作　　者：何钧 

机构地区：[1]泰科天润半导体科技(北京)有限公司

出　　处：《新材料产业》2014年第10期35-38,共4页Advanced Materials Industry

摘　　要：一、紫外日盲波段 近年来随着碳化硅（SiC）材料制备技术的日趋成熟和成本的不断下降,利用这种新兴半导体材料制成的紫外探测器件得到了广泛关注。其中尤其引人注目的是应用于紫外日盲波段（简称＂日盲波段＂,波长200-300nm左右）的光电探测技术和器件。

关 键 词：紫外探测器件 碳化硅 材料制备技术 光电探测技术 波段 日盲 半导体 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]