极紫外投影光刻原理装置的集成研究  

Development of Elementary Arrangement for Exterme Ultraviolet Projection Lithography

作　　者：金春水[1] 马月英[1] 裴舒[1] 曹健林[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春130022

出　　处：《光学学报》2002年第7期852-857,共6页Acta Optica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (6 99380 2 0 1)资助课题

摘　　要：论述了光刻技术发展的历程、趋势和极紫外投影光刻技术的特性 ,并介绍了极紫外投影光刻原理装置的研制工作。该装置由激光等离子体光源、掠入射椭球聚光镜、透射掩模、施瓦茨微缩投影物镜及相应的真空系统组成。其工作波长为 13nm ,在直径为 0 1mm的像方视场内设计分辨率优于 0 1μm。The prototype for extreme ultraviolet projection lithography at 13 nm wavelength includes a laser plasma source, an ellipsoidal condenser, a transmission mask, the Schwarzschild objective, a resist coated wafer and the associated vacuum apparatus. The optical design is optimized to achieve a resolution better than 0.1 μm over a 0.1 mm diameter image field of view.

关 键 词：极紫外投影光刻原理装置 极紫外投影光刻 多层膜反射镜 Schwarzschild物镜 集成电路 制造技术 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学]