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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:李文晓[1] 李建成[1] 李聪[1] 王震[1] 尚靖[1]
机构地区:[1]国防科学技术大学电子科学与工程学院,湖南长沙410073
出 处:《计算机工程与科学》2014年第12期2361-2366,共6页Computer Engineering & Science
基 金:国家自然科学基金资助项目(61201167)
摘 要:提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构。该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能。基于GSMC 0.13μm-CMOS工艺下的仿真结果表明,新型灵敏放大器在-40℃-80℃的环境下具有很高的读取速度,且能够工作在低电压(0.8V)下。在1.2V工作电压、27℃室温下电路的读出延时是10.5ns,平均功耗为6.1μW@25MHz,分辨率可达到33nA。A novel sense amplifier is proposed to be suitable for the Multiple Time Programmable Nonvolatile Memory (MTP-NVM) of passive Radio-Frequency Identification (RFID). The circuit has superior performance such as low-power, high speed, reliability and highly sensitive without extra area overhead. The simulation based on GSMC 0.13 μm-CMOS process shows that the new sense amplifier has high read speed and can work at low voltages (0.8 V). When the voltage is 1.2 V and the tempera- ture is 27℃ ,the read delay is 10.5 ns,the power consumption is 6.1/μW@25 MHz and the current differ- ence it can identify accurately is about 33 nA.
关 键 词:灵敏放大器 射频识别 非易失性存储器 MTP 低功耗
分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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