掺P、B对纳米Zn-0薄膜电学特性的影响  

作　　者：王文青[1] 宋淑芳[2] 艾家和[3] 韩晓英[1] 赵金茹[1] 许宏飞[1] 史利军[1] 

机构地区：[1]中国兵器工业第五二研究所,内蒙古包头014034 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]北京科技大学,北京100083

出　　处：《电子显微学报》2002年第5期659-660,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关 键 词：纳米Zn-O薄膜 电学特性 掺硼 纳米氧化锌薄膜 掺磷 

分 类 号：TM910.4[电气工程—电力电子与电力传动]