溶胶-凝胶法制备的Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/SrTiO_3/Si电容结构及其性能研究  

Electrical Properties of Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/SrTiO_3/Si Capacitor Structure Fabricated by Sol-Gel Method

作　　者：郭纯维[1] 马颖[1,2] 燕少安[1] 周益春[1,2] 

机构地区：[1]湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭411105 [2]湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105

出　　处：《现代应用物理》2014年第4期294-298,共5页Modern Applied Physics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11172257;61176093)

摘　　要：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8 A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。The metal-ferroelectrie-insulator-semiconductor （MFIS） capacitors of Pt/Bi315 Nd0.85 Ti3 O12/SrTiO3/Si structure are fabricated by sol-gel method, and the electrical properties of the MFIS are also investigated. The memory window of 2.5 V, the low leakage current density of 10 -8 A-cm 2, and a long retention time of over 7.5 h are obtained. It indi- cates that the SrTiO3 thin film as an insulating layer shows a relative good dielectric and insulated property.

关 键 词：溶胶-凝胶法 金属-铁电层-绝缘层-半导体结构 钛酸锶薄膜 钛酸铋钕薄膜 存储窗口 

分 类 号：TN384[电子电信—物理电子学]