检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]新疆医科大学医学工程技术学院,新疆乌鲁木齐830011
出 处:《科技视界》2015年第10期60-60,72,共2页Science & Technology Vision
基 金:新疆医科大学科研创新基金项目(XJC2013237)
摘 要:采用直流磁控溅射方法在(111)取向的单晶Si片上沉积单层Al膜,并将样品分为两组退火,第一组样品分别在200、300和400℃退火10min;第二组样品在300℃分别退火5、10和15min。原子力显微镜观测退火膜的表面形貌及粗糙度表明,随着退火温度的升高或退火时间的增加,表面更加平整,粗糙度明显减小,膜的致密性得到改善。原子的表面扩散是造成薄膜表面趋于平滑的主要原因。
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