多晶硅生产中硅芯夹层的成因及预防措施  

Formation causes of silicon core interlayer in polysilicon production and preventative measures

作　　者：赵桂洁[1,2] 马启坤[1,2] 张健雄 

机构地区：[1]昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655000 [2]云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南昆明650031

出　　处：《氯碱工业》2015年第3期28-29,32,共3页Chlor-Alkali Industry

基　　金：云南省科技厅对外国际合作计划项目(2013IA002)

摘　　要：分析了在多晶硅生产过程中,硅芯氧化夹层和氮化夹层形成的原因,并提出了预防措施。The formation causes of oxidation interlayer and nitridation interlayer in silicon core in polysilicon production were analyzed. Preventative measures were put forward.

关 键 词：多晶硅 硅芯 氧化夹层 氮化夹层 原因 措施 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工]