结合雪崩和PIN特性的4H-SiC紫外光电探测器的模拟  

作　　者：钟金祥 吴正云[1] 洪荣墩[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理与机电工程学院物理系

出　　处：《中国新通信》2015年第7期105-106,共2页China New Telecommunications

摘　　要：紫外波段的光探测器具有广阔的应用前景,本文结合传统的吸收-倍增-分离(SAM)和PIN结构,设计了一种新结构(APIN)的4H-Si C紫外光电探测器,模拟了其光电特性,并与传统的SAM和PIN结构的光电探测器进行了对比。结果表明其在雪崩状态下具有类似于SAM结构的雪崩光电探测器(APD)的特性,在低反向偏压下具有类似于PIN光电探测器的特性,为实际器件的制备提供参考。

关 键 词：4H-SIC 紫外光电探测器 SAM PIN 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]