IGBT技术现状及发展趋势  

作　　者：赵承贤 杨虎刚 余晋杉 邓涛 郑金灿 

机构地区：[1]珠海格力新元电子有限公司,广东珠海519110

出　　处：《技术与市场》2015年第4期28-29,31,共3页Technology and Market

摘　　要：介绍了IGBT的发展历史,重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能,并展望未来IGBT的发展趋势。

关 键 词：IGBT MOSFET 穿通性 非穿通型 平面栅 沟槽栅 电场截止型FS 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]