纳米环磁性隧道结及新型纳米环磁随机存取存储器的基础研究  

作　　者：韩秀峰[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所

出　　处：《中国科技成果》2015年第6期58-58,60,共2页China Science and Technology Achievements

基　　金：该项目荣获2015年北京市科学技术奖一等奖.

摘　　要：磁随机存取存储器属于新兴学科《自旋电子学》研究领域，也隶属于半导体和微电子学与磁学的前沿交叉学科领域。研发基于电子自旋内禀属性的一系列自旋电子学器件，可大大促进科学和技术的进步与发展。与传统的静态及动态随机存储器（SRAM＆DRAM）相比，磁随机存取存储器（MRAM）具有数据非易失性、低功耗、读写速度快、使用周期长和防辐射等综合优点，

关 键 词：磁随机存取存储器 磁性隧道结 基础研究 纳米环 自旋电子学器件 动态随机存储器 新兴学科 交叉学科 

分 类 号：TP333.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]