铂合金靶  

出　　处：《有色金属与稀土应用》2015年第1期36-36,15,共2页Non-Ferrous Metals & Rareearth

摘　　要：近年来，一直在谋求半导体存储器的高密度化，作为该可高密度化的半导体存储器，分极反转型不挥发存储器（FeRAM）或DRAM引人注目。这些半导体存储器都具有强电介质电容器，该强电介质电容器都具有用上部电极及下部电极夹持由PZT[Pb（ZrxTi1-x）O3]或BaSrTiO3等构成的强电介质膜的结构。

关 键 词：合金靶 半导体存储器 介质电容器 不挥发存储器 高密度化 DRAM 电介质膜 铂 

分 类 号：TQ586.2[化学工程—精细化工]