FD-SOI的优点及在中国发展的机遇  

FD- SOI Advantages and Development Opportunity in China

作　　者：刘忠立[1,2] 赵凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所,北京100029

出　　处：《微处理机》2015年第2期1-3,6,共4页Microprocessors

摘　　要：大多数的电子产品都面临着节能问题,特别是移动电子产品和空间应用,需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅,甚至PD-SOI(部分耗尽绝缘体硅)CMOS电路,在这些方面遇到很大的挑战。FD-SOI,即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当器件特征尺寸缩比到纳米级时,FD-SOI的节能优势更加突出。介绍FD-SOI的优点、应用及在中国发展的机遇。Most of the electronic products are facing with the problem of energy saving. The mobile electronic products and space applications in particular require low voltage and low power integrated circuits. The development for BULK Si,even PD- SOI CMOS,in these aspects,encounters a great challenge. FD- SOI,namely full depletion silicon on insulator,is a very good alternative. When devices further scale down to the nanometer level,the advantage of energy saving of FD- SOI is more prominent.This paper introduces advantages and applications of FD- SOI as well as its development opportunity in China.

关 键 词：全耗尽绝缘体上硅技术 节能 低功耗 低电压 特征尺寸 缩比 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]