赵凯

作品数：5被引量：20H指数：3
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：静态随机存储器探测器神经元电路偏振光存取更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
发文期刊：《科学通报》《微处理机》《Journal of Semiconductors》更多>>
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主族层状低维半导体的偏振光探测器被引量：1
《科学通报》2022年第16期1796-1805,共10页赵凯 魏钟鸣 夏建白 
国家杰出青年科学基金(62125404)资助。
偏振探测在成像、遥感和生物检测等领域具有非常广泛的应用.为了契合光电领域高度集成化的发展目标,偏振光探测器的器件结构需要跳出复杂的检偏器与探测器分离式结构模型,开发新型探测路线.对偏振光天然敏感的主族层状低维半导体可实现...
关键词：主族元素 低维半导体 偏振光探测器 偏振成像 
FD-SOI的优点及在中国发展的机遇
《微处理机》2015年第2期1-3,6,共4页刘忠立 赵凯 
大多数的电子产品都面临着节能问题,特别是移动电子产品和空间应用,需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅,甚至PD-SOI(部分耗尽绝缘体硅)CMOS电路,在这些方面遇到很大的挑战。FD-SOI,即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当...
关键词：全耗尽绝缘体上硅技术 节能 低功耗 低电压 特征尺寸 缩比 
SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟被引量：3
《信息与电子工程》2011年第6期774-777,共4页李振涛 于芳 刘忠立 赵凯 高见头 杨波 李宁 
为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路...
关键词：单粒子翻转 双指数模型 器件模拟 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 
用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力被引量：10
《信息与电子工程》2010年第1期91-95,共5页赵凯 高见头 杨波 李宁 于芳 刘忠立 肖志强 洪根深 
提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基...
关键词：绝缘体上硅 静态随机存储器 抗单粒子翻转 设计加固 
抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器被引量：6
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1139-1143,共5页赵凯 刘忠立 于芳 高见头 肖志强 洪根深 
介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材...
关键词：部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 加固设计 
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