李振涛

作品数：1被引量：3H指数：1
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SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟被引量：3
《信息与电子工程》2011年第6期774-777,共4页李振涛 于芳 刘忠立 赵凯 高见头 杨波 李宁 
为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路...
关键词：单粒子翻转 双指数模型 器件模拟 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 
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