1053nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性  

Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1053 nm

作　　者：段利华[1,2,3] 张淑芳[4] 周勇[3] 张靖[3] 郭洪[3] 罗庆春[3] 方亮[1,2] 

机构地区：[1]重庆大学机械传动国家重点实验室,重庆400044 [2]重庆大学应用物理系,重庆401331 [3]重庆光电技术研究所,重庆400060 [4]重庆电子工程职业学院软件学院,重庆401331

出　　处：《红外与毫米波学报》2015年第2期218-223,共6页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金(11304405);重庆大学机械传动国家重点实验室开放课题(SKLMT-KFKT-201419);重庆市科技攻关计划(CSTC2012gg-gjhz50001;CSTC2013jj B0023);重庆市教育委员会科技项目(KJ132209);重庆大学大型仪器设备开放基金(201412150103;201412150104;201412150105)~~

摘　　要：制备了一种新型的具有高调制带宽的1 053 nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响,优化了In Ga As/Ga As量子阱的生长温度与生长速率.分析了SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系.研究结果表明,SLD输出波长随温度的漂移系数为0.35 nm/℃,其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25℃、100 m A注入电流下SLD的-3 d B调制带宽达到1.7 GHz,尾纤输出功率2.5 m W,相应的光谱半宽为24 nm,光谱波纹为0.15 d B.A high speed 1 053 nm superluminescent diode （SLD） with ridge-waveguide structure has been fabricated. By optimizing of the growth parameters such as temperature, growth rate, epitaxial materials with excellent crystal quali- ty were attained. The photoelectric characteristics of the SLD depended on temperature and driver current were analyzed. The coefficient of the wavelength shift with temperature was 0.35 nm/℃. The wavelength of the SLD shift with driver current insensitive to the temperature. A - 3 dB cutoff frequency of 1.7 GHz was obtained at a DC bias current of 100 mA and 25 ℃ ,corresponding to 2.5 mW output power from single mode fiber （SMF） with spectral modulation of less than 0.15 dB and spectral width of 24 nm.

关 键 词：超辐射发光二极管 1053 NM 调制带宽 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN365