首发精神分裂症患者治疗前后事件相关电位P_3改变  

作　　者：任燕[1] 郭凤莲[2] 贾娇[1] 杨红[1] 

机构地区：[1]山西医学科学院山西大医院精神卫生科,太原030032 [2]太原市中心医院精神卫生科

出　　处：《中国药物与临床》2015年第5期660-662,共3页Chinese Remedies & Clinics

基　　金：山西省青年科技研究基金(2010021036-3);山西省卫生厅科研项目(201301047)

摘　　要：精神分裂症患者中,除阳性症状和阴性症状外,认知障碍为其另一核心症状。研究显示约85%的精神分裂症患者存在认知障碍,事件相关电位P300异常可反映其大脑认知功能的改变,国内外研究结果显示精神分裂症患者存在P300靶刺激P3波幅下降、潜伏期延长。但对于P3异常是精神分裂症的素质性指标,还是状态性指标,目前的研究结果尚不一致。

关 键 词：事件相关电位 P_3 认知障碍 潜伏期延长 核心症状 素质性 靶刺激 大脑认知功能 状态性 抗精神病药 

分 类 号：R749.3[医药卫生—神经病学与精神病学]