碳主族元素掺杂硅的第一性原理计算  

作　　者：卜琼琼[1] 

机构地区：[1]云南机电职业技术学院,云南昆明650203

出　　处：《科技视界》2015年第16期187-188,共2页Science & Technology Vision

摘　　要：单晶硅的性质对所含杂质与缺陷十分敏感。于是,为了在硅上获得适合于实际应用的光发射,人们对Si材料的改性主要采取引入与控制杂质和缺陷的方法,期望获得有效的发光中心,近年来,Si材料的掺杂改性在实验和理论上都获得了广泛的关注。本文通过第一性原理的方法计算在硅中掺入C、Si、Ge、Sn、Pb等第四主族元素,来对它们的性质进行计算模拟,为Si的掺杂改性做理论分析指导。

关 键 词：C族元素 SI 能带 态密度 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]