卜琼琼

作品数：5被引量：3H指数：1
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发文领域：理学文化科学电子电信机械工程更多>>
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整体多层包扎容器筒体与封头连接处热应力数值模拟研究
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》2016年第11期00293-00293,共1页刘栋 赵艳妮 卜琼琼 
通过对高温稳态工况下,整体多层包扎高压容器筒体封头连接处进行了数值模拟得到了封头与筒体连接处的热应力分布,并与相同参数的单层筒体与封头连接处的热应力进行了对比,为整体多层包扎容器应用于高温工况提供依据。
关键词：整体多层包扎 热应力 筒体与封头 
碳主族元素掺杂硅的第一性原理计算
《科技视界》2015年第16期187-188,共2页卜琼琼 
单晶硅的性质对所含杂质与缺陷十分敏感。于是,为了在硅上获得适合于实际应用的光发射,人们对Si材料的改性主要采取引入与控制杂质和缺陷的方法,期望获得有效的发光中心,近年来,Si材料的掺杂改性在实验和理论上都获得了广泛的关注。本...
关键词：C族元素 SI 能带 态密度 
浅议基于校企合作—检验工序高职学生的培养方法
《时代教育》2015年第13期211-211,共1页卜琼琼 
“校企合作、工学结合”是高等职业院校发展的必要形式之一,但在实施的过程中也出现了多种问题。笔者就校中厂企业某一工序分析存在的问题,与培养目标相结合,探讨人才培养模式的具体实施。
关键词：校企合作 总成检验 高职 培养模式 
自填隙原子对Si晶体性能影响的研究被引量：1
《红外技术》2012年第10期598-601,共4页卜琼琼 王茺 靳映霞 陆顺其 杨宇 
国家自然科学基金项目;编号:10964016和10990101;教育部科学技术研究重点项目;编号:210207;云南大学理工基金项目;编号:2009E27Q
运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明,缺陷使体Si材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移。
关键词：第一性原理 缺陷 硅基 光学性质 
Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
《人工晶体学报》2012年第4期1037-1042,共6页陆顺其 王茺 靳映霞 卜琼琼 杨宇 
国家自然科学基金(10964016;10990103);云南省自然基金重点(2008CC012);教育部科学技术研究重点(210207)资助的项目
应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另...
关键词：化学吸附 表面吸附能 密度泛函理论 
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