日本九州大学开发半导体型SWCNT高选择性分离技术  

作　　者：杨晓婵 

出　　处：《现代材料动态》2015年第5期10-10,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本九州大学中屿直敏教授等人开发出可以99％的高纯度分离半导体型单壁碳纳米管（SWCNT）的技术，半导体型SWCNT有望用于超低电力驱动的下一代半导体器件等。在此前的分离、精制技术中，为选择性地吸附半导体型碳纳米管使用的可溶剂会作为杂质残留下来，使碳纳米管作为半导体器件材料的性能受损。这次开发的技术可高效地分离出半导体型SWCNT，且可从碳纳米管表面完全去除可溶剂。

关 键 词：半导体器件 日本九州大学 分离技术 体型 高选择性 开发 单壁碳纳米管 电力驱动 

分 类 号：TQ028.8[化学工程]