基于VLD终端的光刻对准标记工艺设计  

作　　者：肖步文 孙晓儒 甘新慧 周东飞 尹攀 

机构地区：[1]无锡华润华晶微电子有限公司,江苏无锡214000

出　　处：《山东工业技术》2015年第11期269-270,共2页Journal of Shandong Industrial Technology

摘　　要：采用VLD终端的半导体器件,在工艺流程上首先需要进行终端制备,然后进行有源区的制备,这就需要在终端制备工艺结束之后,留下后续工艺制造所需要的光刻对版标记,本文设计了一种可以实现套刻的光刻对版标记的工艺,并给出了工艺实现的条件。

关 键 词：氮化硅 VLD终端 双层掩膜 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]