第三代半导体SiC技术的崛起  

出　　处：《现代材料动态》2015年第6期17-17,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：第一代半导材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路都是由Si材料制作。目前全球40％能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件己日趋其发展的材料极限，难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性，将成为突破口，正在迅速崛起。

关 键 词：第三代半导体材料 半导体器件 IC技术 半导体功率器件 材料芯片 信息产业发展 电能转换 SiC 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]