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机构地区:[1]海华电子企业(中国)有限公司,广东广州510510 [2]广东机电职业技术学院,广东广州510515
出 处:《电子技术应用》2015年第6期129-131,135,共4页Application of Electronic Technique
摘 要:由于IR2110内部不能产生负电压,因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰,对此研究了IGBT体寄生二极管反向恢复过程,并结合IGBT的输入阻抗米勒效应,分析出IR2110零电压关断毛刺干扰产生原因,最后对IR2110典型零电压关断电路进行改进,设计一种带负充电泵的IR2110关断电路。经实验验证,该电路可有效解决IR2110的零电压关断毛刺干扰问题,保证逆变器的工作稳定性。IR2110 internal can not produce a negative voltage, so that glitch emerges easily when turn off IGBT using zero- voltage. According to this problem, this paper studies the reverse recovery process of IGBT parasitic diode and analyzes the reason that causes glitch when turn off IR2110 using zero-voltage combined with the input impedance Miller effect of IGBT. Finally, this paper improves the IR2110 typical zero-voltage shutdown circuit, and then designs the IR2110 shutdown circuit with a negative charge pump. This circuit is verified by experiment, it can effectively solve the glitch problem result from turning off IR2110 using zero-voltage. Meanwhile, this circuit could ensure the stability of the inverter.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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