硅片超精密磨削减薄工艺基础研究  

作　　者：高尚[1] 康仁科[1] 

机构地区：[1]大连理工大学

出　　处：《金属加工（冷加工）》2015年第12期82-82,共1页MW Metal Cutting

摘　　要：电子产品对高性能、多功能和小型化的需求推动了集成电路（IC）封装技术的发展,为减小封装厚度,需要对硅片进行背面减薄加工。目前,采用金刚石砂轮的超精密磨削技术在硅片减薄加工中得到广泛应用,但是,超精密磨削减薄技术面临着高加工质量和高加工效率的突出矛盾。

关 键 词：超精密磨削 工艺基础 亚表面损伤 砂轮磨削 磨削参数 磨削技术 崩边 磨削力 变形机理 材料去除率 

分 类 号：TG580.6[金属学及工艺—金属切削加工及机床]