检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]哈尔滨师范大学
出 处:《哈尔滨师范大学自然科学学报》2015年第3期90-93,共4页Natural Science Journal of Harbin Normal University
摘 要:利用化学气相沉积法在硅衬底上合成高产的Zn O纳米带,采用微栅模板法得到单根Zn O纳米带半导体器件,通过溅射Au纳米颗粒对单根Zn O纳米带进行表面修饰,测得器件在紫外光和暗环境下的I-V特性曲线,研究了影响单根Zn O纳米带光电流和暗电流的因素.结果表明:Au纳米颗粒对两种环境下的电流变化的影响是不同的,光电流随Au纳米颗粒的增多呈现先增大后减小的变化趋势,而暗电流随Au纳米颗粒的增多呈现持续增大的变化趋势.讨论了影响电流变化的可能的机制.Highly productive ZnO nanobehs are synthesized on Si substrate by chemical vapor deposition method. Individual ZnO nanobelt semiconductor devices are fabricated using the micro grid template method, and modified the surface of individual ZnO nanobelt by sputterring Au nanoparticles. The I - V curves for the devices are measured with and without ultraviolet light. The result shows that the effect on the change of photo current differs from that of dark current by Au nanoparticles. The photo current current increases firstly then decreases, and the dark current grows with prolonging Au sputterring time. The effect factors on the change of current have also been discussed.
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