华虹半导体0．11微米超低漏电嵌入式闪存工艺助力物联网MCU  

出　　处：《集成电路应用》2015年第7期43-43,共1页Application of IC

摘　　要：华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出0．11微米超低漏电（UItra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

关 键 词：嵌入式闪存 半导体 工艺 微米 电可擦可编程只读存储器 漏电 MCU 物联网 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]