华虹半导体最新推出0．11μm超低漏电嵌入式闪存工艺平台  

出　　处：《中国集成电路》2015年第7期3-3,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：华虹半导体有限公司（华虹半导体）日前宣布，最新推出0．11μm超低漏电（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18μm超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

关 键 词：嵌入式闪存 半导体 平台 工艺 电可擦可编程只读存储器 漏电 成本优势 LOW 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]