新疆理化所获得一种性能优异的红外倍频晶体最新半导体薄膜仅为三个原子厚  

机构地区：[1]新疆理化技术研究所

出　　处：《人工晶体学报》2015年第7期2010-2010,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：利用红外倍频晶体进行激光变频是获得光通讯两个大气窗口3-5μm和8-12μm激光源的重要手段，在军事和民用领域都有着极为重要的应用价值。目前可商业应用的红外波段倍频晶体AgGaQ2（Q=S，Se）和ZnGeP2等存在两大缺陷，即较小的激光损伤阈值阻碍其在高功率激光器上的应用以及需要在密闭体系生长避免原料氧化，单晶生长难度较大。

关 键 词：倍频晶体 红外波段 半导体薄膜 性能优异 原子 新疆 商业应用 ZNGEP2 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]