氮化镓材料专利计量分析及启示  

作　　者：陈欣[1] 董璐[1] 陈枢舒[1] 郑菲[1] 

机构地区：[1]中国科学院文献情报中心

出　　处：《新材料产业》2015年第10期39-43,共5页Advanced Materials Industry

摘　　要：氮化镓（Gallium Nitride，GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第3代半导体材料。氮化镓材料由于具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性，在光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景。

关 键 词：氮化镓材料 计量分析 半导体材料 光电子器件 专利 砷化镓基材料 饱和漂移速度 化学稳定性 

分 类 号：TQ133.51[化学工程—无机化工] G306[文化科学]