氮化镓材料

作品数：27被引量：34H指数：4
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相关机构：西安电子科技大学中国科学院北京大学中国科学院大学更多>>
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第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景被引量：1
《广东化工》2024年第4期49-51,75,共4页朱曦 黎晓华 贺威 李煜 朱德亮 曹培江 柳文军 姚蕾 韩舜 曾玉祥 吕有明 刘新科 
广东省自然科学杰出青年项目(2022B1515020073);深圳大学2022年教学改革研究项目(JG2022035)。
随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的...
关键词：氮化镓 一维纳米线 单晶衬底 光电器件 微电子 
低剂量辐照损伤氮化镓材料的分子动力学模拟及其力学性能变化
《固体力学学报》2023年第5期591-605,共15页徐浩 李田坤 尚福林 
国家自然科学基金项目(12072248)资助
本文使用分子动力学模拟方法,根据已有的辐照仿真试验结果与理论分析结果,建立一套有效的辐照模拟方法用于模拟纤锌矿结构氮化镓(GaN)材料在长时间低剂量辐照环境中的损伤情况.首先模拟了GaN材料受不同入射能量初级离位原子(PKA)的级联...
关键词：GAN 分子动力学模拟 低剂量辐照 损伤累积 纳米压痕 
多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响被引量：1
《物理学报》2023年第9期339-346,共8页刘庆彬 蔚翠 郭建超 马孟宇 何泽召 周闯杰 高学栋 余浩 冯志红 
国家重点研发计划(批准号:2018YFE0125900);国家重点科学技术研究专项(批准号:2009ZYHW0015)资助的课题。
氮化镓(GaN)器件的自热问题是目前限制其性能的关键因素,在GaN材料上直接生长多晶金刚石改善器件的自热问题成为研究的热点,多晶金刚石距离GaN器件工作有源区近,散热效率高,但多晶金刚石和GaN材料热失配可能会导致GaN电特性衰退.本文采...
关键词：多晶金刚石 氮化镓 微波等离子体化学气相沉积法 电性能 
航天用氮化镓材料的研究进展被引量：1
《材料导报》2022年第22期86-91,共6页季启政 王一凡 胡小锋 李兴冀 杨剑群 刘尚合 
国家自然科学基金(61904007)。
氮化镓(GaN)材料由于具有优良的电学特性而受到了广泛的关注,有望在航天工程中获得重要应用。本文首先对GaN材料的特性进行了简要阐述,进而对基于GaN的高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)、空间太阳能电池、紫外探测器等的研究和应用...
关键词：氮化镓 电学特性 空间环境 辐射效应 加固技术 
国产化5G芯片用氮化镓材料在芜湖试制成功
《现代材料动态》2019年第7期16-16,共1页
近日,记者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。据介绍,氮化镓半导体材料具有宽...
关键词：氮化镓材料 通信芯片 试制成功 国产化 芜湖 5G 西安电子科技大学 饱和漂移速度 
氮化镓材料在传感器中的应用
《新材料产业》2017年第5期2-3,共2页刘义鹤 江洪 
氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高，具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定胜。氮化镓材料与硅、砷化镓材料的电子性...
关键词：氮化镓材料 宽带隙半导体材料 传感器 砷化镓材料 应用 击穿电场强度 禁带宽度 漂移速率 
复合半导体石墨烯与氮化镓界面结构的性质被引量：1
《中国科技信息》2017年第7期74-76,共3页赵东亮 吕燕伍 
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对单层石墨烯（2×2）/氮化镓（／3×／3）的异质结构进行了研究。重点讨论了界面处的几何结构,电子结构,表面的功函数以及石墨烯诱导的电荷密度的变化。计算表明,当单层石墨烯附在氮化镓表面时,...
关键词：氮化镓材料 界面结构 复合半导体 石墨 性质 密度泛函理论 范德瓦尔斯力 电子结构 
台学者研发出世界首个全彩LED 有望超越OLED
《新材料产业》2017年第1期81-81,共1页
南加州Ostendo Tech Inc．所属磊晶实验室研发出世界第1个全彩LED。他们使用氮化镓材料研发出3种特殊的量子结构，可以发出3种不同颜色的光，可以独立射出也可以混合发射。由于LED有省电和寿命长的特性，采用全彩LED制成的全LED显示器...
关键词：OLED 研发 世界 学者 LED显示器 氮化镓材料 发光二极体 量子结构 
氮化镓材料的研究进展被引量：3
《广东化工》2017年第2期84-86,共3页牛双蛟 李倩 
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在发光二极管、激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的特性、制备方法及在光电子和微...
关键词：氮化镓 半导体 制备方法 应用 
用于硅基氮化镓可调微镜的静电梳齿型微驱动器设计
《传感器与微系统》2017年第1期95-97,104,共4页刘昕 王永进 胡芳仁 
国家自然科学基金资助项目(61274121,61574080);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012829)
提出并设计了一种用于硅基氮化镓(Ga N)可调微镜的静电梳齿型微驱动器。利用有限元软件建立了该器件的几何结构模型,对器件的结构进行了仿真优化。此外,采用微机电系统(MEMS)加工工艺,制作出了用于硅基氮化镓可调微镜的梳齿型微驱动器,...
关键词：微驱动器 静电梳齿结构 氮化镓材料 可调微镜 
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