国产化5G芯片用氮化镓材料在芜湖试制成功  

出　　处：《现代材料动态》2019年第7期16-16,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：近日,记者从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。据介绍,氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质。

关 键 词：氮化镓材料 通信芯片 试制成功 国产化 芜湖 5G 西安电子科技大学 饱和漂移速度 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]