复合半导体石墨烯与氮化镓界面结构的性质  

作　　者：赵东亮[1] 吕燕伍[1] 

机构地区：[1]北京交通大学理学院

出　　处：《中国科技信息》2017年第7期74-76,共3页China Science and Technology Information

摘　　要：本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对单层石墨烯（2×2）/氮化镓（／3×／3）的异质结构进行了研究。重点讨论了界面处的几何结构,电子结构,表面的功函数以及石墨烯诱导的电荷密度的变化。计算表明,当单层石墨烯附在氮化镓表面时,其结合力为范德瓦尔斯力,体系表现出半导体特性,石墨烯在K点附近的狄拉克锥结构不再存在,并形成大小为0.12eV的带隙。表面的功函数为5.26eV,电子不容易脱离体系表面。计算结果为石墨烯作为氮化镓材料的吸附层的设计和应用提供了理论依据。

关 键 词：氮化镓材料 界面结构 复合半导体 石墨 性质 密度泛函理论 范德瓦尔斯力 电子结构 

分 类 号：O641.1[理学—物理化学]