云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 砷化镓材料

砷化镓材料: 作品数：41被引量：84H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王圩潘教青周旭亮于红艳徐万劲更多>>; 相关机构：中国科学院北京大学西安理工大学中华人民共和国工业和信息化部更多>>; 相关期刊：《Communications in Theoretical Physics》《科技创新导报》《新材料产业》《世界宽带网络》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

应变平衡超晶格改善GaAs/Si(001)表面研究被引量：2: 《中国激光》2023年第6期30-37,共8页李家琛王俊肖春阳王海静贾艳星刘倬良马博杰明蕊葛庆翟浩林枫何玮钰黄永清任晓敏; 国家自然科学基金(61874148);国家重点研发计划重点专项课题(2018YFB2200104);北京市科技计划课题(Z191100004819012);国家创新研究群体科学基金(62021005);高等学校学科创新引智计划(111计划)(BP0719012)。; 本文提出了一种有效改善GaAs/Si(001)材料表面形貌和晶体质量的应变平衡超晶格结构及其制备方案。在无偏角Si(001)衬底上,采用金属有机化学气相沉积技术生长了具有应变平衡超晶格结构的GaAs外延层,并在相同条件下仅生长了GaAs外延层作...; 关键词：材料硅基砷化镓材料表面粗糙度应变平衡超晶格金属有机化学气相沉积

质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟被引量：2: 《原子能科学技术》2018年第10期1735-1739,共5页李永宏寇勃晨赵耀林贺朝会于庆奎; 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1610);国家自然科学基金资助项目(11475256); 本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1 000MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大,产生的初级离位原子(PKA)数目增加、种类增多;PKA能谱分布总体上呈递减趋势,PKA在低能量区间所占份额降低,在高能...; 关键词：质子砷化镓位移损伤 GEANT4

氮化镓材料在传感器中的应用: 《新材料产业》2017年第5期2-3,共2页刘义鹤江洪; 氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高，具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定胜。氮化镓材料与硅、砷化镓材料的电子性...; 关键词：氮化镓材料宽带隙半导体材料传感器砷化镓材料应用击穿电场强度禁带宽度漂移速率

砷化镓材料技术发展及需求被引量：12: 《天津科技》2015年第3期11-15,共5页周春锋兰天平孙强; 介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可...; 关键词：砷化镓单晶生长 HB LEC VB VGF

Detecting the micro-defects in the GaAs materials by time resolved emissions被引量：2: 《Chinese Science Bulletin》2014年第16期1838-1844,共7页Zhongliang Pan Ling Chen Guangzhao Zhang Peiheng Wu; supported by the National Natural Science Foundation of China (61072028);the Project of Department of Education of Guangdong Province (2012KJCX0040);Guangdong Province and Chinese Ministry of Education Cooperation Project of Industry,Education and Academy (2009B090300339); The GaAs material is a major semiconductor material,and it has high electron transfer rate and direct transition energy band structure.The devices and integrated circuits fabricated on the GaAs substrates have a lot o...; 关键词：砷化镓材料微观缺陷排放检测时间分辨排放量 GAAS衬底光子发射单光子探测

砷化镓材料被引量：8: 《科技创新导报》2010年第32期75-77,共3页王建利牛沈军兰天平周春峰孙强; 文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程...; 关键词：砷化镓半导体材料迁移率能带结构掺杂剂载流子浓度位错密度(EPD) 饱合漂移速度

High power, longevity gallium arsenide photoconductive semiconductor switches被引量：7: 《Chinese Science Bulletin》2010年第13期1331-1337,共7页YANG HongChun CUI HaiJuan SUN YunQing ZENG Gang WU MingHe; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No.10804016);the Key Laboratory Fund of Transient of Optics and Photonics of China (Grant No.YAK200501); A GaAs Photoconductive Semiconductor Switch (PCSS) with a 3-mm gap between the two opposed contact electrodes was developed with carefully chosen GaAs material, mechanical structure design, contact fabrication techniq...; 关键词：砷化镓材料光电开关半导体开关高功率长寿命砷化镓半导体机械结构设计脉冲持续时间

532nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究被引量：6: 《量子电子学报》2007年第5期625-629,共5页李永富祁海峰王青圃张行愚刘泽金王玉荣魏爱俭夏伟张飒飒; 国家自然科学基金(69978009)和(60677027);教育部博士点基金(20060422025); 利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为<100>偏<111A>方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作...; 关键词：激光技术激光损伤阈值夫琅和费衍射砷化镓材料 532 nm连续激光热传导

中电集团四十六所:半导体材料研究的前锋: 《天津科技》2007年第2期20-22,共3页李宝珠; 中国电子科技集团公司第四十六研究所（原信息产业部电子46所）是电子材料专业研究机构，是国内最早从事半导体材料和光纤研究开发的单位之一，始建于1958年。40多年来不断发展壮大，技术力量日益雄厚，技术装备优良，历年来取得的各类...; 关键词：中国电子科技集团公司半导体材料前锋技术力量信息产业部砷化镓材料半导体照明砷化镓单晶

中科院半导体所高性能GAII外延材料研究取得进展: 《现代材料动态》2007年第1期25-25,共1页; 由中科院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓（GAN）外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化镓材料之后，在近十年迅速发展起...; 关键词：宽禁带半导体材料外延材料中科院宽带隙半导体材料半导体电子器件创新工程砷化镓材料

砷化镓材料