砷化镓单晶

作品数：48被引量：33H指数：3
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韶关冶炼厂自主成功制备出高质量砷化镓单晶
《中国有色冶金》2023年第4期16-16,共1页
7月14日,中金岭南韶关冶炼厂稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队利用自有技术成功生产出第一根砷化镓单晶棒,单晶棒外观质量优良,初步判定为零缺陷长单晶体。此次实验第一次投料就成功产出成晶率高、质量优良的单晶棒。
关键词：零缺陷 韶关冶炼厂 绿色回收 稀贵金属 自有技术 中金岭南 单晶体 实验室 
砷化镓单晶线性孪晶长度判断方法研究
《信息记录材料》2022年第12期36-38,共3页王金灵 刘火阳 
本文研究线性孪晶在晶体中的生长存在规律性,根据几何关系的换算则可以计算出M-Twin需要切割的砷化镓单晶长度。实验验证利用理论公式计算晶棒的M-Twin长度与实际M-Twin切除长度接近,证明该计算方法可以判断砷化镓线性孪晶的长度,可以...
关键词：线性孪晶 砷化镓单晶 长度判断 
砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计被引量：1
《实验技术与管理》2020年第2期152-156,189,共6页王一 乌大琨 隋郁 赵海发 
针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池对比实验。该实验在暗伏安特性、开路电压和短路电流、输出特性等传统测量及数学拟合基础...
关键词：太阳能电池 能带结构 砷化镓单晶 硅单晶 填充因子 
环境湿度对VGF法半绝缘砷化镓单晶备料生长的影响研究被引量：1
《天津科技》2017年第1期56-57,61,共3页孙文杰 
利用垂直梯度冷凝法生长半绝缘砷化镓单晶的环境是一个密闭的真空系统,但是在备料过程中不可避免要受到周围环境的影响。通过除湿设备对环境除湿,分别在湿度为40%,±5%,和60%,±5%,时,使用等质量的多晶料、掺杂剂等材料进行备料实验研...
关键词：湿度 VGF 半绝缘 
GaAs在光通讯波段的超快非线性光学研究(英文)被引量：2
《发光学报》2015年第8期969-975,共7页陈智慧 肖思 何军 顾兵 
国家自然科学基金(61222406,11174371,11174160);湖南省自然科学基金(12JJ1001);教育部博士学科点专项科研基金(20110162120072);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0512);中南大学研究生自主探索创新基金(2014zzts138)资助项目
采用Z-扫描和泵浦-探测技术,在光通讯波段对砷化镓(Ga As)单晶进行了非线性动力学以及非线性光学的实验研究。飞秒泵浦-探测实验结果表明,三阶非线性光学效应源于砷化镓单晶对飞秒激光的瞬态双光子吸收,而五阶非线性光学效应源于砷化镓...
关键词：双光子吸收 自由载流子吸收 砷化镓单晶 光通讯波长 
砷化镓晶体项目落户天津开发区
《中国金属通报》2012年第6期11-11,共1页
天津开发区与美国晶体技术公司日前签署投资合作协议，砷化镓晶体合成和晶体加工项目正式落户天津开发区。该项目年产2英寸砷化镓单晶抛光片900万片，产品将供应国内外砷化镓外延生产厂家。
关键词：天津开发区 砷化镓晶体 砷化镓单晶 合作协议 晶体技术 晶体加工 晶体合成 生产厂家 
6英寸砷化镓单晶VGF法生长中坩埚-埚托间隙对晶体生长过程影响被引量：6
《稀有金属》2011年第4期617-622,共6页涂凡 苏小平 张峰燚 黎建明 丁国强 
国家863项目(2002AAF3102)资助
在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合。坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的温场和固液界面形状影响较大。通过模拟计算5种不同的空隙形状时的温场与热应力分布,发现随着空隙面积的增...
关键词：垂直梯度凝固 数值模拟 空隙 固液界面 热应力分布 
温度对压痕法测试砷化镓显微硬度及裂纹形成和扩展的影响
《硅酸盐学报》2010年第5期892-896,共5页沈兆侠 陈荣发 戴良刚 朱瑞 张显亮 
国家自然科学基金(50605032);江苏省精密与微细制造技术重点实验室开放基金(No.JSPM200705)资助项目
在常温和低温下对砷化镓单晶进行压痕实验,分析温度对砷化镓单晶片显微硬度及其裂纹产生和扩展的影响。结果表明:当试验载荷处在低于0.244N的小载荷区时,砷化镓单晶片的显微硬度随着载荷的增加而增大;当载荷处在大于0.244N的高载荷区时...
关键词：砷化镓单晶 压痕法 温度变化 显微硬度 
FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术被引量：1
《半导体技术》2010年第4期313-316,共4页周春锋 杨连生 刘晏凤 李延强 杜颖 
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单...
关键词：铟和硅双掺杂 全液封 砷化镓单晶 液封直拉法 
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量：1
《半导体技术》2008年第9期793-795,共3页佟丽英 杨春明 王春梅 史继祥 王聪 
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试...
关键词：砷化镓单晶 微观图形 参考面 
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