王聪

作品数：4被引量：9H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：硼扩散AL染色液P更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子工业专用设备》更多>>
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硼扩散技术研究被引量：1
《电子工业专用设备》2011年第12期12-14,共3页王春梅 佟丽英 史继祥 王聪 
对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
关键词：硼 扩散浓度 扩散深度 
硼扩散片弯曲度的控制技术研究
《电子工业专用设备》2010年第8期26-27,44,共3页王春梅 佟丽英 史继祥 王聪 
对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理...
关键词：硼 扩散 硅片 弯曲度 
化学染色法测量B,Al及P扩散结深被引量：7
《半导体技术》2009年第12期1213-1215,共3页佟丽英 赵权 史继祥 王聪 李亚光 
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比...
关键词：扩散结深 染色液 扩展电阻探针法 
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量：1
《半导体技术》2008年第9期793-795,共3页佟丽英 杨春明 王春梅 史继祥 王聪 
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试...
关键词：砷化镓单晶 微观图形 参考面 
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