半导体开关

作品数：96被引量：291H指数：10
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采用半导体开关的重频Marx型长脉冲高压电源
《强激光与粒子束》2025年第3期26-30,共5页丁明军 董攀 李杰 冯宗明 
国家自然科学基金项目(11975217)。
为满足如速调管等对输出长达毫秒量级脉冲调制器需求,介绍一种基于Marx电路的长脉冲高压脉冲电源,它采用固态半导体开关作为主放电开关,通过在Marx每一级单元引入独立的充电半导体开关,解决了Marx采用电阻对储能电容充电导致无法高重频...
关键词：高压脉冲电源 半导体开关 Marx结构 长脉冲 
激光触发多门极半导体开关初步研究被引量：1
《强激光与粒子束》2024年第11期25-31,共7页刘宏伟 王凌云 栾崇彪 袁建强 谢卫平 杨杰 何泱 付佳斌 徐乐 
固态脉冲功率源在脉冲功率技术领域应用广泛,已经成为新的研究热点,其中,高功率固态开关器件是固态脉冲功率源的核心。报道了一种新型光触发多门极半导体开关(LIMS),该开关具备光致线性模式和场致增益模式两种工作模式,解决了传统电控...
关键词：光触发多门极半导体开关 固态脉冲功率源 重复频率 
压控型脉冲功率半导体器件技术及应用被引量：3
《强激光与粒子束》2024年第9期94-102,共9页孙瑞泽 陈万军 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 
国家自然科学基金项目(62334003)。
近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、...
关键词：脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 MOS栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲 
20 kA台式8/20μs冲击电流发生器设计
《安全与电磁兼容》2024年第4期51-57,65,共8页杨铭 
为解决传统8/20μs冲击电流发生器体积庞大、不易转场测试以及气体火花间隙开关触发稳定性较差的问题,通过研究直流高压脉冲电源技术、气体火花开关技术、半导体开关技术,提出了一种20 kA台式8/20μs冲击电流发生器的设计方案。阐述了...
关键词：8/20μs 冲击电流 半导体开关 脉冲功率 
半导体脉冲功率开关器件综述被引量：7
《中国电机工程学报》2022年第23期8631-8651,共21页梁琳 颜小雪 黄鑫远 卿正恒 杨泽伟 尚海 
国家自然科学基金项目(51877092,51377069);装备预研重点实验室基金(6142605180104)。
该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导...
关键词：半导体开关 脉冲功率 反向开关晶体管 漂移阶跃恢复二极管 快速离化晶体管 
基于光导半导体的MHz高重频可调谐脉冲产生技术研究被引量：2
《强激光与粒子束》2022年第7期60-65,共6页楚旭 王朗宁 朱效庆 王日品 王彬 荀涛 刘金亮 
国家自然科学基金项目(62071477,62101577);湖南省自然科学基金项目(2021JJ40660)。
随着微波光子学的发展,新型光导微波技术利用高重频脉冲簇激光,入射到线性光导半导体器件中产生可调谐高功率电磁脉冲的方式受到广泛关注。SiC光导半导体开关(PCSS)具有高击穿场强,高饱和载流子速率,高抗辐射能力,高热传导率和高温工作...
关键词：光导半导体开关 重复频率 可调谐亚纳秒脉冲 脉冲发生器 
氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性被引量：3
《半导体技术》2021年第6期474-478,共5页卫新发 梁国松 张育民 王建峰 徐科 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404101)。
氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti...
关键词：掺Fe GaN 氧化铟锡(ITO) Ti薄层 欧姆接触 热稳定性 光导半导体开关 
一种升压模式的可调极性高频Blumlein脉冲形成线功率调制模块被引量：4
《电工技术学报》2021年第2期425-434,共10页何映江 余亮 马剑豪 董守龙 姚陈果 
国家自然科学基金(51907011);重庆市基金(cstc2019jcyj-msxm0368);中央高校基本科研业务费(2019CDXYDQ0010)资助项目。
随着脉冲功率技术在新型粒子加速器、生物细胞实验仪器等领域拓展应用,对脉冲功率发生器高重复频率、短脉冲、脉冲参数灵活可调提出更高的要求。该文研究了一种新型的功率变换模块电路拓扑。这种电路拓扑由LC振荡升压单元和Blumlein形...
关键词：纳秒脉冲发生器 LC振荡电路 Blumlein脉冲形成线 半导体开关 
电子电力技术在电源设计中的应用:变压器和整流器
《磁性元件与电源》2020年第7期171-176,共6页邓隐北(编译) 孙永德(编译) Mike Tooley 
1前言电力电子(Power Electronic,简称PE)技术,是信息产业和传统产业之间的重要接口,是弱电与被控强电之间的桥梁。PE技术包括功率半导体器件﹑巢成电路(IC)技术、功率变换技术及其控制技术等。PE器件又称开关器件。自世界上第一个功率...
关键词：功率半导体器件 双向晶闸管 光控晶闸管 快速晶闸管 逆导晶闸管 电力电子 半导体开关 门极 
快速关断半导体开关工作特性及实验研究被引量：4
《强激光与粒子束》2020年第2期76-80,共5页王淦平 李飞 金晓 宋法伦 张琦 
国家高技术研究计划项目;装备预研重点实验室基金项目
介绍了快速关断半导体开关(DSRD)的工作原理,研究了开关内部的物理过程,分析了系统参数对开关输出特性的影响,研究发现:基区材料的击穿阈值越高、载流子饱和漂移速度越大输出电压上升速率越快;基区高的电场击穿阈值或低的掺杂浓度会增...
关键词：固态脉冲发生器 高功率半导体断路开关 快前沿脉冲 脉冲功率技术 
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