反向开关晶体管

作品数：22被引量：42H指数：4
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半导体脉冲功率开关器件综述被引量：7
《中国电机工程学报》2022年第23期8631-8651,共21页梁琳 颜小雪 黄鑫远 卿正恒 杨泽伟 尚海 
国家自然科学基金项目(51877092,51377069);装备预研重点实验室基金(6142605180104)。
该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导...
关键词：半导体开关 脉冲功率 反向开关晶体管 漂移阶跃恢复二极管 快速离化晶体管 
百兆瓦级反向开关晶体管脉冲功率组件及其水下脉冲放电研究
《电气技术》2021年第1期19-22,57,共5页尚超 刘云龙 董义华 张雪原 张玉芝 
山东省自然科学基金资助项目(ZR2017QF011);潍坊市科技发展计划资助项目(2018GX017)。
基于反向开关晶体管的工作原理,设计了水下脉冲放电系统。根据负载击穿特性,首次提出不使用磁开关阻断主电压的设计思路,这提高了主电流上升率。确定了实验参数,并进行了放电实验。实验过程可见,在击穿过程中,负载相当于一阻值很小的电...
关键词：脉冲功率 负载 水下放电 反向预充 
基于反向开关晶体管的脉冲电源在电磁发射中的应用被引量：4
《兵工学报》2017年第4期658-663,共6页张亚舟 李贞晓 田慧 李海元 栗保明 
国防"973"计划项目(6132270202)
为了进行电磁轨道炮发射机理研究,研制了一套基于反向导通双晶复合晶体管(RSD)全固态开关的电容储能型脉冲功率电源。RSD开关采用可控等离子体换流技术,具有全面积均匀同步导通、开通损耗小、功率大、换流效率高、寿命长的特点。电源系...
关键词：兵器科学与技术 电磁发射 脉冲功率电源 反向开关晶体管 
SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述被引量：3
《电工电能新技术》2016年第4期56-60,共5页梁琳 吴文杰 刘程 潘铭 
国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会<电力电子科教发展计划>(DREG2013004);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金(PPLF2013PZ02);中国国家留学基金委(201308420123)资助项目
本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同,采用氟基气体感应耦合等离子...
关键词：SIC RSD 脉冲功率开关 工艺 ICP刻蚀 离子注入 台面终端造型 
碳化硅RSD的二维数值模型研究被引量：1
《电力电子技术》2016年第1期105-108,共4页梁琳 刘程 
国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会《电力电子科教发展计划》(DREG2013004)~~
在此通过实验进一步证实了高耐压的硅基反向开关晶体管(RSD)有更高的开通电压峰值,说明采用宽禁带碳化硅(SiC)的必要性。基于半导体物理基本方程,考虑载流子迁移率模型、SRH复合、俄歇复合、碰撞电离效应及禁带变窄效应等,采用典型4H-Si...
关键词：反向开关晶体管 碳化硅 数值模型 
基于LCL谐振变换结构的RSD重频系统充电技术被引量：1
《电力电子技术》2014年第1期60-62,共3页李飞龙 余亮 梁琳 邹雪城 
国家自然科学资金资助项目(50907025);中央高校基本科研业务费资助项目(HUST2012QN150)~~
全固态半导体开关,即反向开关晶体管(RSD)因其具有全面积、纳秒至微秒级导通等特有的性质,在脉冲功率领域有着良好的应用前景。研究了RSD脉冲功率系统主储能电容的恒流充电技术。利用交流小信号分析法对基于LCL谐振变换结构的充电电源...
关键词：反向开关晶体管 恒流充电 谐振变换 
RSD关断时间检测方法的改进研究被引量：1
《通信电源技术》2013年第2期1-5,共5页汪恺 梁琳 余岳辉 
国家自然科学基金资助项目(50907025);中央高校基本科研资助;HUST:2012QN150
在脉冲功率的重频应用中,开关的关断特性是至关重要的,其关断时间直接决定了可以获得的最高重复频率。文中通过软件仿真分析了影响反向开关晶体管RSD(reversely switched dynistor)关断时间的因素,同时为了更准确地测得RSD的关断时间,...
关键词：脉冲功率 反向开关晶体管 关断时间 
反向开关晶体管结构优化与特性测试被引量：4
《强激光与粒子束》2012年第4期876-880,共5页梁琳 余亮 吴拥军 余岳辉 
国家自然科学基金项目(50907025)
对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化,在RSD中引入缓冲层,建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明:缓冲层结构起到了截止电场的作用,使得器件基区得以减薄,较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特...
关键词：反向开关晶体管 脉冲功率开关 缓冲层 开通电压 关断时间 
两步式放电改善反向开关晶体管开通特性研究被引量：4
《物理学报》2012年第5期499-505,共7页洪武 梁琳 余岳辉 
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:50907025)资助的课题~~
针对大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)由于预充不足造成的非均匀开通缺陷,在直接预充放电工作电路的基础上,设计了一种两步式放电工作电路.根据RSD结构特点理论分析了正常开通所需条件,并对器件元胞结构进行建模分析,模型仿真结果表...
关键词：反向开关晶体管 半导体开关 两步式放电 均匀开通 
RSD二维数值模拟与预充过程分析被引量：3
《电工技术学报》2012年第3期147-152,共6页余岳辉 冯仁伟 梁琳 
国家自然科学基金项目(50907025)
为了加深对反向开关晶体管(RSD)器件原理的认识,本文基于半导体物理基本方程,在二维元胞单元上利用有限差分的方法建立了RSD器件的数值模型。模型考虑了载流子间散射、SRH和俄歇复合、碰撞电离等物理效应。采用实验电路提取的参数建立了...
关键词：反向开关晶体管 数值模拟 载流子分布 预充过程 
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