吴文杰

作品数：2被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文主题：ICP刻蚀SICRSD反向开关晶体管离子注入更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电工电能新技术》《电力电子技术》更多>>
所获基金：台达环境与教育基金国家自然科学基金国家留学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述被引量：3
《电工电能新技术》2016年第4期56-60,共5页梁琳 吴文杰 刘程 潘铭 
国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会<电力电子科教发展计划>(DREG2013004);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金(PPLF2013PZ02);中国国家留学基金委(201308420123)资助项目
本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同,采用氟基气体感应耦合等离子...
关键词：SIC RSD 脉冲功率开关 工艺 ICP刻蚀 离子注入 台面终端造型 
CF4/ O2混合气体ICP刻蚀4H-SiC工艺研究
《电力电子技术》2016年第4期106-108,共3页吴文杰 梁琳 
国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会(DREG2013004);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金(PPLF2013PZ02)~~
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀是宽禁带半导体材料4H-SiC加工工艺中的重要环节。采用CF_4/O_2作为刻蚀气体,首次用正交实验的方法系统研究了ICP功率、射频(RF)功率、CF_4流量、O_2流量等工艺参数对4H-SiC材料刻蚀速率的影响,结果表明刻蚀...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 混合气体 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部