潘铭

作品数：2被引量：7H指数：2
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文主题：SICRSD脉冲功率碳化硅ICP刻蚀更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电工电能新技术》《现代应用物理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金台达环境与教育基金国家留学基金更多>>
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用于脉冲功率领域的碳化硅四层器件性能概述被引量：5
《现代应用物理》2016年第2期48-54,共7页梁琳 潘铭 舒玉雄 张鲁丹 
国家自然科学基金资助项目(51377069);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金项目(PPLF2013PZ02);中国国家留学资金委资助项目(201308420123)
综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SiC超级门极可关断晶闸管(super gate turn-off thyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管(emitte...
关键词：SIC SGTO SIC ETO SIC RSD 碳化硅 脉冲功率 
SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述被引量：3
《电工电能新技术》2016年第4期56-60,共5页梁琳 吴文杰 刘程 潘铭 
国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会<电力电子科教发展计划>(DREG2013004);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金(PPLF2013PZ02);中国国家留学基金委(201308420123)资助项目
本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同,采用氟基气体感应耦合等离子...
关键词：SIC RSD 脉冲功率开关 工艺 ICP刻蚀 离子注入 台面终端造型 
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