砷化镓材料  

作　　者：王建利[1] 牛沈军[1] 兰天平[1] 周春峰[1] 孙强[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《科技创新导报》2010年第32期75-77,共3页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。

关 键 词：砷化镓 半导体材料 迁移率 能带结构 掺杂剂 载流子浓度 位错密度(EPD) 饱合漂移速度 

分 类 号：X703[环境科学与工程—环境工程]