锑化镓基量子阱2μm大功率激光器  

GaSb-Based Quantum Wells 2 μm High Power Laser Diode

作　　者：廖永平[1,2] 张宇[1,2] 邢军亮[1,2] 杨成奥 魏思航[1,2] 郝宏玥 徐应强[1,2] 牛智川[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026

出　　处：《中国激光》2015年第B09期35-38,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家973计划（2014CB643903,2013CB932904）,国家重大仪器专项（2012YQ140005）,国家自然科学基金（61435012,U1037602,61290303）,中国科学院战略先导专项（B）（XDB01010200）.

摘　　要：使用固态源MBE系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长，通过优化稳定生长条件，结合标准宽条形激光器制备工艺，获得了在15工作温度下823mW的连续光输出，注入电流0．5A时，峰值波长为1．98μm。在1000Hz，5％占空比的脉冲工作模式下，最大脉冲功率达到1．868W。By reducing the AI concentration in waveguide layer and optical confinement layer, stabilizing the epigrowth condition and combining with standard broad-area-laser processing technology,we obtain a continuous output power of 823 mW when working at 15 ℃, the peak wavelengh is 1.96 μm with 0.5 A injection current. In pulsed condition of 1000 Hz and 5 % duty cycle, the maximum output power of about 1.86 W is gotten.

关 键 词：激光器 中红外 大功率 光电对抗 

分 类 号：O436[机械工程—光学工程]