基于3.1～10.6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计  

Design of CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier from 3.1～10.6 GHz

作　　者：赵小荣[1] 范洪辉[1] 朱明放[1] 傅中君[1] 黄海军[1] 陈鉴富[1] 

机构地区：[1]江苏理工学院计算机工程学院,江苏常州213001

出　　处：《江南大学学报（自然科学版）》2015年第4期385-389,共5页Joural of Jiangnan University (Natural Science Edition)　

基　　金：国家自然科学基金项目(61302124);江苏省自然科学基金项目(BK20130235);江苏省高校自然科学基金项目(13KJB50006);江苏理工学院校青年基金项目(KYY13030);广西高校重点实验室项目(GXSCIIP201408)

摘　　要：设计了一种基于TSMC 0.18 pm CMOS工艺的高增益,低功耗共栅结构的超宽带低噪声放 大器.利用串联电阻和电感与晶体管的自身跨导共同在整个频带内实现很好的输入端匹配.电路 采用ADS2009软件仿真设计.仿真结果表明,在1.8 V电源供电时,整个电路功耗为15.6 mW,在 3.1 - 10. 6 GHz 的频带内噪声系数 NF 为 1.284 5 ±0.340 5 dB,正向增益S21 为 21.451 ± 1.5 dB, 输入回波损耗均低于-15.14 dB,输出回波损耗低于-20. 202 dB.This paper presents a high gain,low-power common-gate ultra-wideband low noise amplifier based on the TSMC 0. 18 μm CMOS technology. A series resistance-inductance network at the source combines with the parasitic capacitance of a transistor to form a parallel RLC input matching configuration in the common-gate input stage. The simulation and optimization of LNA have been done by ADS( Advanced design system) 2009. Under working voltage of1. 8 V,the result show that the power consumption of the whole circuit is 15. 6 m W,the noise figure( NF) of the amplifier is 1. 284 5 ± 0. 340 5 d B,the gain is 21. 451 ± 1. 5 d B,and the input return loss( S11) is less than- 15. 14 d B and the output return loss( S22) is less than- 20. 202 d B in the frequency band of 3. 1 ~ 10. 6 GHz.

关 键 词：低噪声放大器 超宽带 互补金属氧化物半导体 共栅结构 

分 类 号：TN722.31[电子电信—电路与系统]